 |
Исследования в области материаловедения и ядерной энергии |
 |
SX 100 и Shielded SX 100RЭлектронный микроанализатор (EPMA) для локального (<1µm), точного определения количества элементов и картирования твердых материалов, между 100% и несколькими ppm. Применяется главным образом в металлургии (покрытия и множественные слои, сегрегация, коррозия, загрязнения, осаждение, легкие элементы); для исследований стекла и керамики (состав массы и включений, диффузия...) сложных материалов (границы перехода, включения…), катализ. Прибор Shielded SX 100R делает возможным анализ радиоактивных образцов.
Подробная информация о прибора SX 100
|
 |
IMS 7f и Shielded IMS 7fRУниверсальным прибор SIMS с магнитным сектором для глубокого профилирования с высокой чувствительностью (до ppb атомной концентрации) и 2D или 3D изображения следов элементов. Применяется в металлургии (поверхностное и глубинное распределение следов элементов для: покрытий и множественных слоев; керамики и стекла (следовые элементы, исследование диффузии с использованием меченых изотопов); композитные материалы (поверхности раздела, включения), катализ, изучение окружающей среды (изотопные и рассеянные элементы). Прибор Shielded IMS 7fR делает возможным анализ радиоактивных образцов. |
 |
NanoSIMS 50Микроанализатор SIMS с мультиколлекторным детектором для анализа с получением сверхточных характеристик. Делает возможным высокое разрешение при 2D картировании следов элементов и примесей при исследовании окружающей среды и разработках (керамика, композитные материалы, металлические сплавы, субмикронные включения, характеристика по изотопам и элементам частиц аэрозолей и загрязнений). Дает пределы обнаружения элементов в ppm при разрешении 50nm на не требующих специальной обработки диэлектрических образцах. |
 |
TAPТомографический Atom Probe (методика
TAP) для 3D элементного картирования с разрешением по атомной шкале. Применяется в металлургии (распространение трещин, нано включения, сегрегация, нанокристаллизация в аморфных сплавах) и других проводящих образцах (множественные слои, имплантация...). |
|
|
