Методика анализа: LEXES

Принцип метода LEXES (Low energy Electron induced X-ray Emission Spectrometry - Спектрометрия рентгеновских лучей, вызванных низкоэнергетическим потоком электронов) состоит в облучении образца низкоэнергетическим потоком электронов и анализировании мягкого рентгеновского излучения испущенного образцом. Так как рентгеновские лучи являются характеристикой излучающих их элементов, то можно получить избирательный элементный анализ. Глубина анализа может варьироваться от 1 до 500 нанометров, в зависимости от таких параметров: тип элемента, кристаллическая решетка и энергия возбуждающего потока электронов.

Точное воспроизведение взаимодействия потока электронов - материала и поглощения излученных мягких рентгеновских лучей позволяют сделать точный количественный элементный анализ на дискретной глубине для широкого диапазона концентрации (от 100% до десятков ppm). Эффекты кристаллической решетки малы и хорошо воспроизводимы. Поэтому стандартные образецы легко доступны (чистые материалы или стехиометрические составы). Другая сильная сторона метода в том, что он является неразрушающим.

Одно из основных применений метода LEXES в микроэлектронике - это быстрое и количественное измерение присадки мелко имплантированной примеси при широком диапазоне присадок с отжигом или без. Метод обеспечивает чувствительность прекрасно подходящую для LE и ULE (Ultra Low Energy - Сверхнизкая энергия) технологий добавления присадок. Так как методика LEXES основана на технологии облучения потоком электронов, то она также может применяться при анализе образцов для производства подложек.

Другие ключевые применения - это элементный количественный анализ водорода и кислорода в оксинитридах или количественный анализ бора, углерода и германия для SiGe технологии. В дополнение к возможности метода измерения присадок можно отметить, что из анализа сигнала при разных энергиях облучения можно получить данные о распределении по глубине.

Возрастающие потребности в точных измерениях присадок для ULE технологии добавления присадок и признанная компетентность фирмы CAMECA в технологиях SIMS и EPMA привели к разработке нового инструмента, основанного на методе LEXES. Это CAMECA Shallow Probe. Это прибор для установки на заводских линиях, который обеспечивает быстрое, количественное и неразрушающее измерение элементного состава и консистенции целиком 200 и 300 мм подложек, позволяя контролировать однородность сверхтонких слоёв на типовых и нетиповых подложках. Он удовлетворяет стандартам окружающей среды при производстве микроэлектроники (SEMI, SECS-GEM).

На главную

Фирмы-производители

Техническая
информация